特許
J-GLOBAL ID:200903051915149153
エレクトロルミネッセント素子の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山下 昭彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-169143
公開番号(公開出願番号):特開2002-367775
出願日: 2001年06月05日
公開日(公表日): 2002年12月20日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、複数の発光層をフォトリソグラフィー法により形成した場合でも、混色等の問題点の生じることの無いEL素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、電極層が形成された基体上に、種類の異なる発光層を複数回にわたりフォトリソグラフィー法により形成するEL素子の製造方法において、2回目以降に形成される発光層の発光層形成用溶媒が、既に形成されている発光層に対して貧溶媒であることを特徴とするEL素子の製造方法を提供する。
請求項(抜粋):
電極層が形成された基体上に、種類の異なる発光層を複数回にわたりフォトリソグラフィー法により形成するエレクトロルミネッセント素子の製造方法において、2回目以降に形成される発光層の発光層形成用溶媒が、既に形成されている発光層に対して貧溶媒であることを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
IPC (4件):
H05B 33/10
, C09K 11/06 690
, H05B 33/12
, H05B 33/14
FI (4件):
H05B 33/10
, C09K 11/06 690
, H05B 33/12 B
, H05B 33/14 A
Fターム (10件):
3K007AB04
, 3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (7件)
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