特許
J-GLOBAL ID:200903051943275610

圧電体薄膜素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-044815
公開番号(公開出願番号):特開2000-244030
出願日: 1999年02月23日
公開日(公表日): 2000年09月08日
要約:
【要約】【課題】 圧電体薄膜の性能が向上し素子の信頼性が高い圧電体薄膜素子を提供する。【解決手段】 基板101上に下地膜、電極104、圧電体薄膜105を積層してなる圧電体薄膜素子において、下地膜を複数層102、103にて構成する。これにより、各下地膜に機能を分担させて素子の性能を向上する。たとえば、下地膜とその上層の膜との密着性や圧電体薄膜の緻密性を向上できる。
請求項(抜粋):
基板と、基板上に順次形成した複数の下地膜と、下地膜上に形成した、圧電体を駆動する第1電極である導電体薄膜と、導電体薄膜上に形成した圧電体薄膜と、圧電体薄膜上に形成した少なくとも1つの第2電極とからなる圧電体薄膜素子。
IPC (2件):
H01L 41/08 ,  H03H 9/17
FI (2件):
H01L 41/08 Z ,  H03H 9/17 F
Fターム (10件):
5J108AA07 ,  5J108AA09 ,  5J108BB04 ,  5J108CC01 ,  5J108CC04 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108KK01 ,  5J108KK07
引用特許:
審査官引用 (5件)
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