特許
J-GLOBAL ID：200903051981852710

紫外線照射による基板処理装置

発明者：
木下 和人

木下 和人 について

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権守 和彦

権守 和彦 について

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秋葉 勇

秋葉 勇 について


出願人/特許権者：
日立電子エンジニアリング株式会社

日立電子エンジニアリング株式会社 について


代理人 (1件)： 影井 俊次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-017435
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216128
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 エキシマランプが装着されるランプハウスを密閉状態にする必要がなく、しかも被処理用の基板の表面に照射される短波長の紫外線の減衰率及び活性酸素の生成量を任意に制御できるようになり、基板に対して最適な条件で処理を行えるようにする。【解決手段】 基板12が配置される処理チャンバ10にはエキシマランプ1を装着したランプハウス15が設けられており、このランプハウス15の基板12への対面する側は開口している。処理チャンバ10内には、ミキシングチャンバ21が設けられており、このミキシングチャンバ21には窒素ガス供給手段16と、ドライエア供給手段17とから流量計24及び流量制御弁25を介して流量調整可能に窒素ガスとドライエアとが供給され、その混合比を制御することによって、処理チャンバ10内における酸素濃度を調整できる構成としている。
請求項（抜粋）：
基板が配置される処理チャンバに、エキシマランプを設けたランプハウスを装着し、かつこの処理チャンバには、不活性ガスと空気との混合ガスを供給するガス供給手段を接続して設けると共に、排気部通路を設けるようになし、さらに前記ガス供給手段は、不活性ガスと空気との混合比率を変化させる混合比調整機構を備える構成としたことを特徴とする紫外線照射による基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 645 ,  B01J 19/12
FI (2件)：
H01L 21/304 645 D ,  B01J 19/12 C
Fターム (13件)：
4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075CA02 ,  4G075CA03 ,  4G075CA15 ,  4G075CA33 ,  4G075CA51 ,  4G075CA63 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075ED13 ,  4G075FB02 ,  4G075FB06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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