特許
J-GLOBAL ID：200903052110763226

レーザー加工方法およびレーザー加工装置

発明者：
吉川 敏行

吉川 敏行 について

, 
重松 孝一

重松 孝一 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-062145
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245467
出願日： 2005年03月07日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】レーザー光線を照射することにより熔融した接着フィルムの影響を受けることなくウエーハの裏面に貼着されたダイボンディング用の接着フィルムを溶断することができるレーザー加工方法および装置を提供する。【解決手段】複数の半導体チップに分離された半導体ウエーハ10の裏面にダイボンディング用の接着フィルム14が貼着され、半導体ウエーハ10が環状のフレームに装着された伸張可能なダイシングテープ16に貼着されており、接着フィルム14を複数の半導体チップに分離した分割溝に沿って溶断するレーザー加工方法であって、半導体ウエーハ10が貼着されたダイシングテープ16を拡張し、分割溝の幅を拡大するテープ拡張工程と、該分割溝の幅を拡大した状態で、分割溝に沿って接着フィルム14にレーザー光線522を照射し、接着フィルム14を分割溝に沿って溶断する接着フィルム溶断工程とを含む。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムが貼着され、該半導体ウエーハが環状のフレームに装着された伸張可能なダイシングテープに貼着されており、該接着フィルムを該複数の半導体チップに分離した分割溝に沿って溶断するレーザー加工方法であって、 該半導体ウエーハが貼着された該ダイシングテープを拡張し、該複数の半導体チップに分離した該分割溝の幅を拡大するテープ拡張工程と、 該複数の半導体チップに分離した該分割溝の幅を拡大した状態で、該分割溝に沿って該接着フィルムにレーザー光線を照射し、該接着フィルムを該分割溝に沿って溶断する接着フィルム溶断工程と、を含む、 ことを特徴とするレーザー加工方法。
IPC (4件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/10 ,  B23K 26/38 ,  H01L 21/50
FI (6件)：
H01L21/78 B ,  B23K26/10 ,  B23K26/38 320 ,  H01L21/50 A ,  H01L21/78 W ,  H01L21/78 Q
Fターム (7件)：
4E068AE01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA15 ,  4E068CE04 ,  4E068DB10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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