接着剤層付き半導体素子の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-273496
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093213
出願日： 2004年09月21日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】ステルスダイシング方法や先ダイシング方法を用いてウェハの割れや欠けを低減しつつ、接着フィルム付き半導体素子を得ることができ、半導体装置の製造上、生産性と作業性が向上する接着剤層付き半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】基材フィルムと3接着剤層2と半導体ウェハ1をこの順に積層する工程と、所定の位置で半導体ウェハ1を切断して複数個の半導体素子を形成する工程と、前記基材フィルム3を水平方向に延伸させて前記複数個の半導体素子間に間隙を形成する工程と、半導体ウェハ1側からみて前記複数の半導体素子間の間隙部分に存在する接着剤層を改質又は一部を除去する工程と、改質された部分で前記接着剤層を切断する工程と、を含むことを特徴とする接着剤層付き半導体素子の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材フィルムと接着剤層と半導体ウェハをこの順に積層する工程と、所定の位置で半導体ウェハを切断して複数個の半導体素子を形成する工程と、前記基材フィルムを水平方向に延伸させて前記複数個の半導体素子間に間隙を形成する工程と、半導体ウェハ側からみて前記複数の半導体素子間の間隙部分に存在する接着剤層を改質又は一部を除去する工程と、改質された部分で前記接着剤層を切断する工程と、を含むことを特徴とする接着剤層付き半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , H01L 21/52

FI (2件)：

H01L21/78 Q , H01L21/52 G

Fターム (3件)：

5F047AA11 , 5F047BA21 , 5F047BB19

引用特許：

出願人引用 (3件)

ウェハ貼着用粘着シート
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-184704 出願人：リンテック株式会社
レーザ加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-278768 出願人：浜松ホトニクス株式会社
半導体基板の切断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-351600 出願人：浜松ホトニクス株式会社

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-019182 出願人：日立化成工業株式会社
ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-353569 出願人：日立化成工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-309742 出願人：株式会社東芝

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