プラズマCVD装置、プラズマ処理装置及びプラズマCVD方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-286342
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106898
出願日： 1995年10月09日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【目的】プラズマ発生電極と処理室の間の電気絶縁部材に溝を形成することにより、基体上に導電膜を堆積する場合にも電気絶縁部材の絶縁性能が低下しないようにする。【構成】プラズマ発生電極61は、実質的に1ターンのコイルであり、処理室20の壁を貫通する1対の導入部分62、63を備えている。この導入部分と処理室20との間には、石英ガラス製の絶縁リング71が配置されている。この絶縁リング71は、円板72の中央に円形の貫通孔73が形成されていて、円板72の一方の側(処理室空間に露出する側)に3個の円環状の突起74が互いに同心状に形成されている。この円環状の突起74の間には、2個の円環状の溝79が形成される。3個の円環状の突起74は、いずれも、高さが50mm、肉厚が1mmであり、溝79の深さも50mmである。溝79の幅は1mmである。

請求項（抜粋）：

処理室と、処理室内を真空に排気する排気機構と、原料ガスを処理室に導入するガス導入機構と、処理室内に配置されたプラズマ発生電極とを備え、プラズマ発生電極に電力を供給してプラズマを発生させることにより処理室内の基体上に膜を堆積させるプラズマCVD装置において、前記プラズマ発生電極は前記処理室の壁を貫通する円筒形状の導入部分を備え、この導入部分と処理室との間に電気絶縁部材が配置され、この電気絶縁部材は、前記導入部分が通過できる円形の貫通孔と、処理室内に露出する側の表面に形成された環状の溝とを備え、この溝が前記貫通孔を取り囲んでいることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (5件)：

H05H 1/46 A , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (10件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-069137 出願人：国際電気株式会社
特開昭54-059878
特公昭60-007937

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