半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-178294
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010566
出願日： 2006年06月28日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】本発明は、縦型有機トランジスタ及び縦型無機トランジスタを用いたインバータ特性を示す半導体デバイスを提供することを課題とする。【解決手段】第一の電極31と、第一の電極上31の第一の半導体層32、34と、第一の半導体層32、34上の第三の電極35と、第一の半導体層32、34の導電型と導電型が異なる第三の電極上35の第二の半導体層36、38と、第二の半導体層36、38に挿入された第五の電極39と、第一の半導体層32、34に挿入された第二の電極33と、第二の半導体層36、38中に挿入された第四の電極37とを有することを特徴とする半導体デバイス。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

第一の電極と、前記第一の電極上の第一の半導体層と、前記第一の半導体層上の第三の電極と、前記第一の半導体層の導電型と導電型が異なる前記第三の電極上の第二の半導体層と、前記第二の半導体層上の第五の電極と、前記第一の半導体層に挿入された第二の電極と、前記第二の半導体層に挿入された第四の電極とを有することを特徴とする半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 29/80 , H01L 21/28 , H01L 29/41 , H01L 51/05 , H01L 29/786 , H01L 27/095

FI (8件)：

H01L29/80 V , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/44 P , H01L29/28 100A , H01L29/78 613A , H01L29/78 618B , H01L29/80 E

Fターム (48件)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104FF11 , 4M104GG14 , 5F102FB01 , 5F102GA01 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GL01 , 5F102GS10 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102HC11 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK03 , 5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (8件)

特公平7-066973
縦型有機トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-286815 出願人：株式会社リコー, 工藤一浩
半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-251675 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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