特許
J-GLOBAL ID：200903052191329045

液晶表示装置およびその製造方法

発明者：
岩崎 康範

岩崎 康範 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-327113
公開番号（公開出願番号）：特開平10-170949
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタのスイッチング動作の信頼性を向上させて、優れた表示品位の液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 透光性基板4上の多結晶シリコン膜11の上にゲート絶縁膜を介してゲート電極13を形成し、多結晶シリコン膜11に不純物をドープしてソース領域15およびドレイン領域16を形成する。次に、層間絶縁膜17を介してソース領域15およびドレイン領域16に接続するソース電極18およびドレイン電極19を形成し、酸化フッ化シリコン膜20で覆う。酸化フッ化シリコン膜20上にドレイン電極19に接続される画素電極9を形成する。このような方法で製造されたLCDは、従来に比べて酸化フッ化シリコン膜の透過率が高く、誘電率が低いので、表示品位が向上される。
請求項（抜粋）：
表面に、堆積された多結晶シリコン膜にチャネル部、ソース領域、ドレイン領域が形成され、チャネル部上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成された薄膜トランジスタ、および画素の開口部を規定する画素電極を有する第1基板と、第1基板に対向する対向電極を表面に有する第2基板と、第1基板および第2基板の間に介在する液晶層と、を含む液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタ上および開口部に、酸化フッ化シリコン膜が形成され、多結晶シリコン膜が、フッ素を含むことを特徴とする液晶表示装置。
引用特許：
審査官引用 (5件)
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