特許
J-GLOBAL ID：200903052206405851

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
岩▲崎▼ 富生

岩▲崎▼ 富生 について

, 
三浦 英生

三浦 英生 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-131069
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324193
出願日： 2002年05月07日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】本発明は、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することにある。また、歩留りの高い半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】半導体基板の一主面側に酸化ハフニウムまたは酸化ジルコニウムを主構成材料とするゲート絶縁膜を成膜する工程と、前記ゲート絶縁膜の上にチタン或いはアルミニウムを主構成材料とする導電性膜を形成する工程と、ゲート電極膜を形成する工程とを備えるようにして半導体装置を製造する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面側に酸化ハフニウムまたは酸化ジルコニウムを主構成材料とするゲート絶縁膜を成膜する工程と、前記ゲート絶縁膜の上にチタン或いはアルミニウムを主構成材料とする導電性膜を形成する工程と、ゲート電極膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (3件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/58 G
Fターム (30件)：
4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104CC05 ,  4M104DD21 ,  4M104DD78 ,  4M104EE03 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F140AA19 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BD17 ,  5F140BD18 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF08 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BK13 ,  5F140CB01
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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