増幅回路および多段増幅回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平戸哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-182915
公開番号（公開出願番号）：特開平10-028020
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【目的】FET、例えば、MESFETを使用してなる増幅回路に関し、正電源のみを設ければ足り、負電源を不要とすると共に、ゲインの可変幅を大きくし、入力信号を大きく減衰させたい場合に、これを行うことができるようにする。【解決手段】増幅素子をなすE型MESFET45のほかに、E型MESFETのドレイン電圧を制御するE型MESFET46を設け、ゲートバイアス制御電圧Vcontrol1の変化に対応して、例えば、E型MESFET45のドレイン電圧が4〜0[V]に変化すると共に、ゲートバイアスVGB3Aが0.4[V]〜0[V]近くに変化するように、ドレイン電圧VDD3の電圧値、E型MESFET46の特性および抵抗50〜52の抵抗値を決定する。

請求項（抜粋）：

ゲートに入力信号およびゲートバイアスが供給され、前記入力信号を増幅してドレインより出力するエンハンスメント型の第1のFETと、ドレインがドレイン電圧源に接続され、ソースが前記第1のFETのドレインに接続され、ゲートに供給される制御信号により、前記第1のFETに供給するドレイン電圧を制御するエンハンスメント型の第2のFETとを備えることを特徴とする増幅回路。

IPC (2件)：

H03F 3/68 , H03F 3/04

FI (2件)：

H03F 3/68 Z , H03F 3/04

引用特許：

出願人引用 (5件)

RF電力増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-116582 出願人：日本電気株式会社
包絡線信号生成回路と線形送信装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-228298 出願人：株式会社日立製作所
高効率線形増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-215435 出願人：株式会社豊田中央研究所

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