特許
J-GLOBAL ID：200903052350518156
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 前田 厚司
, 前堀 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-294334
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150281
出願日： 2006年10月30日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】エッングガスの過剰な解離を抑制することで良好なエッチング処理を実現する。【解決手段】ドライエッチング装置1は、基板2と対向する前記真空容器の上部開口に配置され、その上面7gに誘電体板8を支持する梁状スペーサ7を備える。梁状スペーサ7は、円環状の外周部7a、平面視で外周部7aによって囲まれた領域の中央に位置する中央部7bと、及び中央部7bから外周部7aまで放射状に延びる複数の梁部7cを備える。キャリアガス供給源19から供給されたキャリアガスが外周部7aに形成された第1ガス導入口31から斜め下向きに噴出される。エッチングガス供給源20から供給されたエッチングガスが中央部7bに形成された第2ガス導入口34から下向きに噴出される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
内部に基板(2)が配置される真空容器(3)と、
前記基板と対向する前記真空容器の上部開口に配置され、前記真空容器によって下面(7d)が支持される環状の外周部(7a)と、平面視で前記外周部によって囲まれた領域の中央に位置する中央部(7b)と、前記中央部から前記外周部まで放射状に延びる複数の梁部(7c)とを備え、前記外周部、前記中央部、及び前記梁部で囲まれた領域が窓部(26)を構成する梁状構造物(7)と、
前記梁状構造物の上面(7g)に下面(8a)が支持される誘電体板(8)と、
前記誘電体板の上面側に配置され、高周波電力が投入されるプラズマ発生のためのコイル(9)と、
前記梁状構造物の前記外周部に形成され、斜め下向きにガスを噴出する第1のガス導入口(31)と、
前記梁状構造物の前記中央部に形成され、基板の中央部分に向けて下向きにガスを噴出する第2のガス導入口(34)と、
前記第1及び第2のガス導入口のうちの少なくともいずれか一方からキャリアガスを噴出可能なキャリアガス供給源(19)と、
前記第1及び第2のガス導入口のうちの少なくともいずれか一方からプロセスガスを噴出可能なプロセスガス供給源(20)と
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/205
H01L21/302 101C
, H01L21/205
5F004AA01
, 5F004AA03
, 5F004AA16
, 5F004BA06
, 5F004BA11
, 5F004BA20
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004BC01
, 5F004BC03
, 5F045AA08
, 5F045BB01
, 5F045EE13
, 5F045EE20
, 5F045EF04
, 5F045EF05
, 5F045EF08
, 5F045EH02
, 5F045EH11
, 5F045EH19
, 5F045EJ03
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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