ポジ型レジスト材料

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：滝田清暉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-020958
公開番号（公開出願番号）：特開平8-194313
出願日： 1995年01月13日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】アルカリ性不純物の進入に対する抵抗性の大きいポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】溶解阻止剤、酸発生剤及び高分子化合物からなる3成分系のポジ型レジスト材料において、前記溶解阻止剤が1,4-ビス〔ビス(4-t-ブトキシカルボニルメチロキシフェニル)メチル〕ベンゼン及びその誘導体、1,3-ビス(4-t-ブトキシカルボニルメチロキシフェニルメチル)-4,6-ビス-t-ブトキシカルボニルメチロキシベンゼン及びその誘導体、ビス(4-t-ブトキシカルボニルメチロキシ-2,5-ジメチルフェニル)メチル-4-t-ブトキシカルボニルメチロキシベンゼン及びその誘導体、2,2-ビス(2,4-ジ-t-ブトキシカルボニルメチロキシフェニル)プロパン及びその誘導体、2,6-ビス(2-t-ブトキシカルボニルメチロキシフェニルメチル)-1-t-ブトキシカルボニルメチロキシ-4-メチルベンゼン及びその誘導体の中から選択される少なくとも1種であることを特徴とするポジ型レジスト材料。

請求項（抜粋）：

溶解阻止剤、酸発生剤及び高分子化合物からなる3成分系のポジ型レジスト材料において、前記溶解阻止剤が下記化1で表される1,4-ビス〔ビス(4-t-ブトキシカルボニルメチロキシフェニル)メチル〕ベンゼン及びその誘導体、下記化2で表される1,3-ビス(4-t-ブトキシカルボニルメチロキシフェニルメチル)-4,6-ビス-t-ブトキシカルボニルメチロキシベンゼン及びその誘導体、下記化3で表されるビス(4-t-ブトキシカルボニルメチロキシ-2,5-ジメチルフェニル)メチル-4-t-ブトキシカルボニルメチロキシベンゼン及びその誘導体、下記化4で表される2,2-ビス(2,4-ジ-t-ブトキシカルボニルメチロキシフェニル)プロパン及びその誘導体、下記化5で表される2,6-ビス(2-t-ブトキシカルボニルメチロキシフェニルメチル)-1-t-ブトキシカルボニルメチロキシ-4-メチルベンゼン及びその誘導体の中から選択される少なくとも一種であることを特徴とするポジ型レジスト材料。【化1】但し、化1中のR1 及びR2 はアルキル基、kは0〜4、l(エル)は0〜2の整数を表す。但し、k+lは≦4である。【化2】但し、化2中のRは水素原子又はアルキル基を表す。【化3】但し、化3中のRはアルキル基、mは0〜4の整数を表す。【化4】但し、化4中のR4 はアルキル基、mは0〜3の整数を表す。【化5】但し、化5中のRはアルキル基であり、nは0又は1、mは0〜4-nの整数を表す。

IPC (4件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (8件)

感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-358664 出願人：日本合成ゴム株式会社, 株式会社東芝
ポジ型感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-068630 出願人：富士写真フイルム株式会社
ポジ型感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-111129 出願人：富士写真フイルム株式会社

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