特許
J-GLOBAL ID：200903052551272880

微細穴への微粒子の配置方法、導電性微粒子配置薄層素子、及び、導電積層構造体。

発明者：
鈴木 卓夫

鈴木 卓夫 について


出願人/特許権者：
積水化学工業株式会社

積水化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-180311
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373751
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】 効率よく、容易に、過不足なく安定的に微粒子をフィルムの微細穴に配置することができる微細穴への微粒子の配置方法、その方法を用いてなる3次元実装等に用いる導電薄層素子、及び、導電積層構造体を提供する。【解決手段】 微粒子をフィルムに形成された微細穴に配置する方法であって、少なくともフィルムの微細穴の数より多数の微粒子を並べた面に、微細穴が形成されたフィルムを押し付けることにより、フィルムの微細穴に微粒子を配置する微細穴への微粒子の配置方法。
請求項（抜粋）：
微粒子をフィルムに形成された微細穴に配置する方法であって、少なくともフィルムの微細穴の数より多数の微粒子を並べた面に、微細穴が形成されたフィルムを押し付けることにより、フィルムの微細穴に微粒子を配置することを特徴とする微細穴への微粒子の配置方法。
IPC (9件)：
H01R 43/00 ,  B32B 5/16 ,  H01B 1/22 ,  H01B 5/00 ,  H01B 5/16 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/60 ,  H01R 11/01 501
FI (10件)：
H01R 43/00 H ,  B32B 5/16 ,  H01B 1/22 B ,  H01B 5/00 B ,  H01B 5/00 H ,  H01B 5/16 ,  H01B 13/00 503 A ,  H01L 21/28 Z ,  H01R 11/01 501 C ,  H01L 21/92 604 F
Fターム (48件)：
4F100AB01A ,  4F100AB01B ,  4F100AB16 ,  4F100AB25A ,  4F100AB25B ,  4F100AK01A ,  4F100AK01B ,  4F100AK12 ,  4F100AK52 ,  4F100AK53 ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100DC11A ,  4F100DE01A ,  4F100DE01B ,  4F100DE04A ,  4F100DE04B ,  4F100EH71 ,  4F100EH711 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01A ,  4F100JG01B ,  4F100JG04A ,  4F100JG04B ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB05 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF02 ,  5E051CA03 ,  5G301DA02 ,  5G301DA05 ,  5G301DA33 ,  5G301DA42 ,  5G301DA45 ,  5G301DA51 ,  5G301DA53 ,  5G301DA55 ,  5G301DA57 ,  5G301DA59 ,  5G301DA60 ,  5G307AA02 ,  5G307HB03 ,  5G307HC01 ,  5G307HC04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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