特許
J-GLOBAL ID：200903052581390225

有機半導体薄膜の製造方法及び有機半導体薄膜、並びにそれを用いた有機電子デバイス及び有機電界効果トランジスタ

発明者：
芳山 龍一

芳山 龍一 について

, 
荒牧 晋司

荒牧 晋司 について

, 
酒井 良正

酒井 良正 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-165922
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339604
出願日： 2005年06月06日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
【課題】 結晶粒の大きい有機半導体薄膜を製造することの可能な有機半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 脱離により二重結合を形成する構造を有する有機半導体前駆体の薄膜を、温度勾配を有する系内を移動させることにより、結晶成長させながら有機半導体の薄膜に変換する工程をそなえるとともに、移動速度x(mm/s)と移動方向の温度勾配d(°C/mm)とが式(I)で表わされる条件を満たすようにする。 0.001 < xd < 1000 (I)【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
脱離により二重結合を形成する構造を有する有機半導体前駆体の薄膜を、温度勾配を有する系内を移動させることにより、結晶成長させながら有機半導体の薄膜に変換する工程をそなえるとともに、 移動速度x(mm/s)と、移動方向の温度勾配d(°C/mm)とが、下記式(I)で表わされる条件を満たす ことを特徴とする、有機半導体薄膜の製造方法。 0.001 < xd < 1000 (I)
IPC (5件)：
H01L 21/368 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/05
FI (5件)：
H01L21/368 L ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/28 100A
Fターム (50件)：
5F053AA03 ,  5F053AA04 ,  5F053AA05 ,  5F053AA06 ,  5F053AA33 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05 ,  5F053LL10 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110NN01 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開昭61-202469号公報
  • 特許第2984370号公報
  • 積層体の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-011131   出願人：三菱化学株式会社
審査官引用 (6件)
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