特許

J-GLOBAL ID：200903052704958612

導電性無機膜とその製造方法、配線基板、半導体装置

発明者： 東 耕平 ,  田中 淳
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-143254
公開番号（公開出願番号）：特開2009-290112
出願日： 2008年05月30日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：

【課題】低温プロセスにて、基板上に無機粒子の分散液を用いた液相法により低抵抗な導電性無機膜を安定して製造する。【解決手段】導電性無機膜1は、酸化処理により切断可能な化学結合により結合された分散剤30により表面が被覆された複数の無機粒子20と有機溶剤とを含む原料液を用いて、液相法により複数の無機粒子20を含む薄膜前駆体12を基板11上に成膜する工程(A)と、薄膜前駆体12に、100°C超、且つ、薄膜前駆体12中に含まれる有機成分のうち最も熱分解開始温度が高い有機成分の熱分解開始温度以下、且つ、基板11の耐熱温度以下の条件で酸化処理を施して、薄膜前駆体12中に含まれる無機粒子20の表面の化学結合を切断して分散剤30を表面から脱離させるとともに、薄膜前駆体12中に含まれる有機成分を分解して導電性無機膜1を形成する工程(B)を順次実施して製造されたものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化処理により切断可能な化学結合により結合された分散剤により表面が被覆された複数の無機粒子と有機溶剤とを含む原料液を用いて、液相法により前記複数の無機粒子を含む薄膜前駆体を基板上に成膜する工程(A)と、 該薄膜前駆体に、100°C超、且つ、該薄膜前駆体中に含まれる有機成分のうち最も熱分解開始温度が高い有機成分の前記熱分解開始温度以下、且つ、前記基板の耐熱温度以下の条件で酸化処理を施して、該薄膜前駆体中に含まれる前記無機粒子表面の前記化学結合を切断して前記分散剤を前記表面から脱離させるとともに、前記薄膜前駆体中に含まれる有機成分を分解して導電性無機膜を形成する工程(B)を順次実施することを特徴とする導電性無機膜の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01B 13/00 ,  H01B 5/14 ,  H05K 3/00 ,  H05K 1/09

FI (8件)：

H01L21/288 Z ,  H01L21/88 B ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01B13/00 503D ,  H01B5/14 B ,  H05K3/00 R ,  H05K1/09 A

Fターム (107件)：

4E351AA01 ,  4E351AA16 ,  4E351BB01 ,  4E351BB31 ,  4E351CC11 ,  4E351CC22 ,  4E351CC31 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD08 ,  4E351DD10 ,  4E351DD11 ,  4E351DD12 ,  4E351DD14 ,  4E351DD17 ,  4E351DD18 ,  4E351DD19 ,  4E351DD20 ,  4E351DD21 ,  4E351DD52 ,  4E351EE24 ,  4E351GG20 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA06 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104DD86 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH16 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK03 ,  5F033KK04 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ89 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033XX08 ,  5F033XX34 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5G323CA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電子デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-358560   出願人：東洋インキ製造株式会社

審査官引用 (4件)

• 回路基板の製造方法及び回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-367457   出願人：松下電工株式会社
• 導電層の形成方法、及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-302709   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-275502   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置、及び半導体装置の実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-006305   出願人：株式会社東芝