特許
J-GLOBAL ID：200903052744933035
気相成長装置及び気相成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-053527
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261021
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。【解決手段】 基板と対向する反応管壁の一部が、原料ガス流路の上流から下流に向かって下方向に傾斜した構成の気相成長装置とする。また、基板と対向する反応管壁の一部を、原料ガス流路の上流から下流に向かって下方向に傾斜した構成とすることにより、ガスの流れを斜め下方向に変更させて供給し気相成長させる。
請求項（抜粋）：
基板を載せるためのサセプタ、該基板を加熱するためのヒーター、原料ガスの反応管内への供給方向が該基板に実質的に平行となるように配置された原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する横形反応管からなる半導体膜の気相成長装置であって、基板と対向する反応管壁の一部が、原料ガス流路の上流から下流に向かって下方向に傾斜した構成であることを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/455
H01L 21/205
, C23C 16/455
4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA38
, 4K030CA05
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030GA09
, 4K030JA10
, 4K030KA02
, 4K030LA14
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC12
, 5F045AF02
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DP04
, 5F045DP14
, 5F045DP27
, 5F045DQ06
, 5F045EC01
, 5F045EC05
, 5F045EE14
, 5F045EE20
, 5F045EF14
