特許
J-GLOBAL ID：200903052804995469
極薄ゲート酸化膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087778
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283750
出願日： 1996年04月10日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 制御性や均一性が良好であり、かつ絶縁性も良好にし得る、厚さ10μm以下の極薄のゲート酸化膜の形成方法の提供が望まれている。【解決手段】 シリコン基体の表層部に極薄ゲート酸化膜を形成する方法である。シリコン基体を反応室内に収容し、反応室内に酸素ガスと水素ガスと窒素ガスとを、その流量比が、H2 :O2 :N2 =2〜3:2:5〜50となるようにして流入しつつ、シリコン基板を熱酸化処理して、厚さ10nm以下の極薄ゲート酸化膜をシリコン基板の表層部に形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基体の表層部に極薄ゲート酸化膜を形成する方法であって、シリコン基体を反応室内に収容し、該反応室内に酸素ガスと水素ガスと窒素ガスとを、その流量比が、H2 :O2 :N2 =2〜3:2:5〜50となるようにして流入しつつ、前記シリコン基板を熱酸化処理して、厚さ10nm以下の極薄ゲート酸化膜を前記シリコン基板の表層部に形成することを特徴とする極薄ゲート酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/316 S
