化合物半導体FET

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山崎宏 , 前田厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-123360
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327892
出願日： 2003年04月28日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】化合物半導体FETにおいて、パラレルコンダクションとゲート漏れを解消ないしは緩和する。【解決手段】GaN FETの基板11上には、アンドープAlN層12、GaNデルタドープ層18、アンドープGaN層13、およびアンドープAl0.2Ga0.8N層14が順次形成されている。アンドープAl0.2Ga0.8N層14には、Ti/Al/Pt/Au系ソースオーミック電極15、Pt/Au系ゲートショットキ電極16、およびTi/Al/Pt/Au系ドレーンオーミック電極17が設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、AlN層、n型デルタドープIII-N層、複数のIII-N層が順次形成され、最上層のIII-N層にソース電極、ゲート電極、およびドレーン電極が設けられていることを特徴とする、化合物半導体FET。

IPC (5件)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812

FI (5件)：

H01L29/80 Q , H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E

Fターム (46件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL20 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC04 , 5F110AA06 , 5F110AA30 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110QQ09 , 5F140AA24 , 5F140AC36 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB18 , 5F140BC11 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15

引用特許：

審査官引用 (4件)

窒化物系III-V族化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-266117 出願人：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-388865 出願人：松下電器産業株式会社
プレーナドープ型FET用エピタキシャルウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-307011 出願人：日立電線株式会社

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