特許
J-GLOBAL ID：200903052830635101

化合物半導体FET

発明者：
ジョン・トワイナム

ジョン・トワイナム について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-123360
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327892
出願日： 2003年04月28日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】化合物半導体FETにおいて、パラレルコンダクションとゲート漏れを解消ないしは緩和する。【解決手段】GaN FETの基板11上には、アンドープAlN層12、GaNデルタドープ層18、アンドープGaN層13、およびアンドープAl0.2Ga0.8N層14が順次形成されている。アンドープAl0.2Ga0.8N層14には、Ti/Al/Pt/Au系ソースオーミック電極15、Pt/Au系ゲートショットキ電極16、およびTi/Al/Pt/Au系ドレーンオーミック電極17が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、AlN層、n型デルタドープIII-N層、複数のIII-N層が順次形成され、最上層のIII-N層にソース電極、ゲート電極、およびドレーン電極が設けられていることを特徴とする、化合物半導体FET。
IPC (5件)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812
FI (5件)：
H01L29/80 Q ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E
Fターム (46件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL20 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110QQ09 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BC11 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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