特許

J-GLOBAL ID：200903052900041913

パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法

発明者： 菅田 祥樹 ,  金子 文武 ,  立川 俊和
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-183541
公開番号（公開出願番号）：特開2004-029248
出願日： 2002年06月24日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】特に被覆形成剤を用いたパターンの微細化において、発泡、ディフェクトを低減化し、レベリング性、塗布性に優れ、良好なプロフィルおよび現在の半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができる被覆形成剤、およびこれを用いた微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、水溶性ポリマーと水溶性フッ素化合物(フルオロアルキルアルコール類、フルオロアルキルカルボン酸類など)を含有することを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤、および該被覆形成剤を用いた微細パターンの形成方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、水溶性ポリマーと水溶性フッ素化合物を含有することを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤。

IPC (2件)：

G03F7/40 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570

Fターム (6件)：

2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA05 ,  2H096LA30 ,  5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-003205   出願人：三菱電機株式会社
• パタン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-192151   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-087282   出願人：三菱電機株式会社
• レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-098586   出願人：ジェイエスアール株式会社