SiC単結晶の製造方法および製造装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-134466
公開番号（公開出願番号）：特開2004-338971
出願日： 2003年05月13日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】ボイド欠陥や格子の湾曲(ひずみ)の発生を抑制しつつ大口径で高品質なSiC単結晶を製造することができるSiC単結晶の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】SiC単結晶5を成長させる際のSiC種結晶4と、このSiC種結晶4を支持するための蓋体2との間において、緩衝部材10が介在されている。緩衝部材10におけるプレート部11の一方の面にSiC種結晶4が接着されている。プレート部11の他方の面にはピン穴13を有する突起12が形成され、ピン穴13を通してピン17を蓋体2のピン穴16に挿入することにより緩衝部材10が蓋体2に連結されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiC種結晶(4)を支持するための種結晶支持部材(2)とSiC種結晶(4)との間に緩衝部材(10,20,30,40,50,60)を介在させ、SiC種結晶(4)を緩衝部材(10,20,30,40,50,60)側に接着するとともに緩衝部材(10,20,30,40,50,60)を種結晶支持部材(2)に残留応力が加わらない状態で連結し、この状態においてSiC種結晶(4)からSiC単結晶(5)を成長させるようにしたことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (10件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077DA18 , 4G077ED01 , 4G077ED02 , 4G077EG11 , 4G077SA01 , 4G077SA04 , 4G077SA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶成長用基板と単結晶の加熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-401550 出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
炭化珪素単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-234090 出願人：株式会社デンソー
SiC単結晶及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-060237 出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

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