特許
J-GLOBAL ID：200903089852011668

SiC単結晶及びその製造方法

発明者：
中村 大輔

中村 大輔 について

, 
近藤 宏行

近藤 宏行 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

, 
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-060237
公開番号（公開出願番号）：特開2004-269297
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】SiC種結晶の固定に伴う応力をほとんどなくし,マクロ欠陥の発生を抑制できると共に,高品質かつ大口径のSiC単結晶を得ることができるSiC単結晶の製造方法,及び該製造方法によって得られるSiC単結晶を提供すること。【解決手段】成長容器5内でSiC種結晶1の成長面上にバルク状のSiC単結晶を成長させて,SiC単結晶10を製造する方法である。上記SiC種結晶1と該SiC種結晶1を保持する台座55との間には,両者間にはたらく熱応力を緩和するための応力緩衝材2を配置しておく。上記応力緩衝材2は,その引張強度が10MPa以下であることが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
成長容器内でSiC種結晶の成長面上にバルク状のSiC単結晶を成長させて,SiC単結晶を製造する方法において, 上記SiC種結晶と該SiC種結晶を保持するための台座との間には,両者間にはたらく熱応力を緩和するための応力緩衝材を配置しておくことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B29/36 ,  C30B25/12
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B25/12
Fターム (7件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077EA02 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SB10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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