特許

J-GLOBAL ID：200903072422289018

半導体バルク結晶の作製方法

発明者： 中嶋 一雄 ,  藩 伍根 ,  野瀬 嘉太郎
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (5件)： 重信 和男 ,  内野 春喜 ,  清水 英雄 ,  高木 祐一 ,  中野 佳直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-229260
公開番号（公開出願番号）：特開2007-045640
出願日： 2005年08月08日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】ルツボ壁からの核形成によらず凝固成長を開始して、結晶粒径が大きく、ルツボ壁からの不純物による汚染が少なく、ルツボ壁からの応力・歪みの影響が少ないバルク結晶の作成方法を提供する。【解決手段】Si、Ge及びSiGeから選択された半導体の融液をルツボ中で融点近傍の温度に保持したあと、前記融液中に種結晶を浸漬するか、前記半導体の融液表面の中央付近に冷却用ガスを吹き付けるか、あるいは前記融液中に石英棒、炭素棒、炭化珪素棒、窒化珪素棒、金属棒のいずれか1つの棒を浸漬して核形成させ、そこから凝固成長を開始させることにより半導体バルク結晶を作製する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Si、Ge及びSiGeから選択された半導体の融液を融点近傍の温度に保持し、前記半導体の融液表面の中央付近において核形成を制御し、そこから凝固成長を開始させ、前記半導体の融液を凝固結晶化させることを特徴とする半導体バルク結晶の作製方法。

IPC (2件)：

C30B 11/14 ,  C30B 29/06

FI (2件)：

C30B11/14 ,  C30B29/06 501Z

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077BA05 ,  4G077BE05 ,  4G077CD10 ,  4G077EA01 ,  4G077ED01 ,  4G077MB14 ,  4G077MB26 ,  4G077MB33

引用特許：

出願人引用 (4件)

• シリコン半導体基板および太陽電池用基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-160002   出願人：シャープ株式会社
• 太陽電池用多結晶シリコン・インゴットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-349980   出願人：川崎製鉄株式会社
• 一方向凝固多結晶組織を有するシリコンインゴットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-278830   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-124300   出願人：三菱マテリアル株式会社, 株式会社ジェムコ