特許
J-GLOBAL ID：200903052991134110

プラズマ処理装置

発明者：
西川 和康

西川 和康 について

, 
大寺 廣樹

大寺 廣樹 について

, 
大森 達夫

大森 達夫 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-190103
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023959
出願日： 1999年07月05日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 プラズマを利用し、試料の表面処理を行なうプラズマ処理装置において、高アスペクト比のパターンを高速度で処理する。【解決手段】処理室2内に設けた載置台4の載置面と対向して、処理室2の上部に、中性粒子、または中性粒子を生成するガスを供給する供給系を備えた貯気室6を設け、対向電極を兼ねた分離板7により処理室2と貯気室6を分離し、分離板7の噴出孔8より貯気室6内の中性粒子を噴出させるとともに、処理室2内に供給された処理ガスを高周波アンテナ9によりプラズマ化して、載置台4上の試料5の表面処理を行うように構成する。
請求項（抜粋）：
処理室と、この処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記処理室内に配置される被処理物を載置する載置台と、この載置台へバイアスを印加するバイアス印加手段と、前記載置台の、被処理物を載置する面と対向する位置に設けられ、中性粒子、または中性粒子を生成するガスを供給する供給系を備えた貯気室と、この貯気室と前記処理室を分離し、前記中性粒子を前記処理室に噴出させるための噴出孔を有する分離板と、排気系とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 21/302 C ,  H01L 21/205
Fターム (31件)：
5F004AA00 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004BC08 ,  5F004EB08 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045BB02 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045EF01 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EF11 ,  5F045EH01 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH11 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH14
引用特許：
審査官引用 (8件)
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