特許

J-GLOBAL ID：200903053017005180

窒化物系半導体発光素子の製造方法、窒化物系半導体レーザ素子の製造方法、および窒化物系半導体レーザ素子

発明者： 藤本 英俊 ,  杉浦 理砂 ,  斎藤 真司 ,  野崎 千晴 ,  板谷 和彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186544
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015809
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 窒化物系半導体発光素子において、活性層の発光特性を向上させる製法および素子構造を提供すること。【解決手段】 少なくとも発光層がInを含む窒化物系半導体層からなり、上記発光層の成長速度が6nm/分以上であることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも発光層がInを含む窒化物系半導体層からなり、上記発光層の成長速度が6nm/分以上であることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343

Fターム (46件)：

5F041AA03 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041DA07 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045EK03 ,  5F073AA04 ,  5F073AA09 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-146263   出願人：株式会社東芝
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-059100   出願人：住友化学工業株式会社
• InGaN層を有する半導体ウエハ及びその製造方法並びにそれを具備する発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-107956   出願人：日立電線株式会社
• 半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-038138   出願人：富士通株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-261477   出願人：住友化学工業株式会社