特許
J-GLOBAL ID：200903008826085696
3-5族化合物半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-261477
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107124
出願日： 1995年10月09日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】発光素子用の均一性に優れた3-5族化合物半導体を生産性高く製造する方法を提供する。【解決手段】有機金属気相成長法による積層構造を有する3-5族化合物半導体の製造方法において、該積層構造として、一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される発光層が、該発光層よりバンドギャップの大きな2つの層により挟まれて配置されてなるものであり、該2つの層がそれぞれ同一又は異なる一般式In<SB>u </SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(ただし、u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表されるものであり、該発光層の層厚が5Å以上500Å以下であり、かつ少なくとも該発光層を0.001気圧以上0.5気圧以下の圧力下で製造することを特徴とする発光素子用3-5族化合物半導体の製造方法。
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長法による積層構造を有する3-5族化合物半導体の製造方法において、該積層構造として、一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される発光層が、該発光層よりバンドギャップの大きな2つの層により挟まれて配置されてなるものであり、該2つの層がそれぞれ同一又は異なる一般式In<SB>u </SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB></SB><SB>w </SB>N(ただし、u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表されるものであり、該発光層の層厚が5Å以上500Å以下であり、かつ少なくとも該発光層を0.001気圧以上0.5気圧以下の圧力下で製造することを特徴とする発光素子用3-5族化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
