特許
J-GLOBAL ID：200903071308474984

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
菅 原 秀 人

菅 原 秀 人 について

, 
石 川 正 行

石 川 正 行 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-146263
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335700
出願日： 1997年06月04日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 所定のインジウム組成を有する窒化ガリウム・インジウムについて、その結晶品質を低下させずにヘテロ構造を形成することのできる半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に窒化インジウム・ガリウムの層を含む複数の半導体層を積層させる際に、その窒化インジウム・ガリウム層よりも上の層の材料系を特定のものに限定し、あるいはその成長温度を所定の範囲に限定することにより、窒化インジウム・ガリウム層の熱的劣化や、界面の劣化を抑制して高品質な窒化ガリウム系半導体発光素子を成長することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に、インジウムを含有する第1の窒化ガリウム系化合物半導体からなる第1の層と、その上に積層される第2の層と、を含む窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法であって、前記第1の層のバンド間遷移に基づく発光波長をナノメータの単位でx軸に、前第2の層の成長温度を°Cの単位でy軸に、それぞれプロットしたグラフ図において、xy座標が、それぞれ(366、600)、(366、1010)、(550、1010)、(650、600)、および(366、600)で表される各点をこの順序で結んで得られる領域の境界線上または内部に属する条件で前記第2の層を堆積する工程を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (4件)
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