ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-132408
公開番号（公開出願番号）：特開2001-312060
出願日： 2000年05月01日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】 3.0μm以上の厚膜条件下で、耐熱性に優れ、酸の発生効率がよいスペースパターンの形成が可能で、幅0.8μm以下の高アスペクト比のスペースパターンを垂直性よく形成することが可能なポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法を提供すること。【解決手段】全フェノール性水酸基の水素原子の一部が1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換されているアルカリ可溶性ノボラック樹脂、および酸発生剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

全フェノール性水酸基の水素原子の一部が1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換されているアルカリ可溶性ノボラック樹脂、および酸発生剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (7件)：

G03F 7/023 511 , C08K 5/16 , C08L 61/14 , G03F 7/40 501 , G03F 7/40 511 , H01L 21/027 , C08G 8/28

FI (7件)：

G03F 7/023 511 , C08K 5/16 , C08L 61/14 , G03F 7/40 501 , G03F 7/40 511 , C08G 8/28 B , H01L 21/30 502 R

Fターム (45件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA10 , 2H025AB17 , 2H025AB20 , 2H025AC01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE02 , 2H025BJ00 , 2H025BJ05 , 2H025CB29 , 2H025CB56 , 2H025FA29 , 2H025FA30 , 2H025FA31 , 2H025FA33 , 2H096AA27 , 2H096AA30 , 2H096BA10 , 2H096EA02 , 2H096HA01 , 2H096HA03 , 2H096HA30 , 2H096JA04 , 4J002CC071 , 4J002EB106 , 4J002EN136 , 4J002EU186 , 4J002EV256 , 4J002EV296 , 4J002EW176 , 4J002FD206 , 4J033CA02 , 4J033CA12 , 4J033CA29 , 4J033CA44 , 4J033CA46 , 4J033CB18 , 4J033CD04 , 4J033HA02 , 4J033HA08 , 4J033HA28 , 4J033HB10

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-107164
ポジ型感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-184926 出願人：三菱化学株式会社
ドライ現像用感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-182936 出願人：日本合成ゴム株式会社

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