特許
J-GLOBAL ID：200903053034805182

半導体集積回路装置

発明者：
藤原 徹男

藤原 徹男 について

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網代 優次

網代 優次 について

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山住 宰豪

山住 宰豪 について


出願人/特許権者：
トレセンティテクノロジーズ株式会社

トレセンティテクノロジーズ株式会社 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-189526
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031866
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】銅配線とビア部の銅の接着性(密着性)を向上させ、また、絶縁膜中への銅の拡散を低減し、銅配線の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体基板上の銅膜27b等よりなる第1層配線M1上の、窒化シリコン膜28、酸化シリコン膜29、窒化シリコン膜30および酸化シリコン膜31中に、コンタクトホール32および配線溝33を形成し、Ta膜36a、TaN膜36bおよびTa膜36cの積層膜よりなるバリア層36を形成した後、シード層となる銅膜37aを形成し、電界メッキ法により銅膜37bを形成し、配線溝33およびコンタクトホール32外部の銅膜37a、37bおよびバリア層36をCMPにより除去して、第2層配線M2および第2層配線と第1層配線との接続部P2を形成する。このTa膜36aによって第1層配線M1(銅膜27b)との接着性が確保できる。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板上に形成された第1銅膜と、 (b)前記第1銅膜上に形成された絶縁膜と、 (c)前記絶縁膜中であって、前記第1銅膜上に形成された溝と、 (d)前記溝の側壁および底部に形成された導電性膜と、 (e)前記溝の内部であって、前記導電性膜上に形成された第2銅膜と、 を有する半導体集積回路装置であって、 (f)前記導電性膜は、 (f1)前記溝底部において、銅との密着性が高く、 (f2)前記溝の側壁において、銅の拡散を防止する膜、 であることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (1件)：
H01L21/768
FI (1件)：
H01L21/90 A
Fターム (47件)：
5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06 ,  5F033XX14
引用特許：
審査官引用 (4件)
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