特許

J-GLOBAL ID：200903053106654850

順次堆積法を用いて複合積層膜を形成するシステムと方法

発明者： マック, アルフレド ダブリュ. ,  チャン, メイ ,  ビュン, ジェオン スー ,  チュン, ファ ,  シンハ, アショック ,  コリ, モリス
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  鈴木 康仁 ,  二宮 克之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-507887
公開番号（公開出願番号）：特表2004-536451
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

基板上に形成される銅コンタクトのための積層バリア層を形成するシステムと方法。基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露して付着層を形成する。次に、付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露して、付着層にバリア層を近接させて形成する。その後、バリア層に銅層を近接させて堆積する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理チャンバ内に配置される基板上に積層バリア層を形成する方法であって: 前記基板を第1および第2の反応ガスに順次曝露して付着層を形成するステップと、 前記付着層を第3および第4の反応ガスに順次曝露して前記付着層にバリア層を近接させて形成するステップとを含む、方法。

IPC (4件)：

H01L21/285 ,  C23C16/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

FI (4件)：

H01L21/285 C ,  C23C16/30 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 R

Fターム (47件)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030KA41 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH05 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• バリア膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225711   出願人：日本真空技術株式会社
• ダマシン・メタライゼーションのための正角ライニング層
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-531140   出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド
• 化学気相蒸着法による金属窒化膜形成方法及びこれを用いた半導体装置の金属コンタクト形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-275664   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-263601   出願人：ソニー株式会社