特許
J-GLOBAL ID:200903053111279529
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者:
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-139029
公開番号(公開出願番号):特開2008-294281
出願日: 2007年05月25日
公開日(公表日): 2008年12月04日
要約:
【課題】簡単に製造することができるとともに、熱応力によるクラックや剥離の発生を抑制することができる半導体装置、及びその半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置10は、セラミック基板14の一面14aに半導体素子12が熱的に結合されるとともに他面14bに金属板16を介してヒートシンク13が熱的に結合されている。ヒートシンク13と金属板16の間には、板状をなし一面に金属板16より面積の小さい第1接合面20aを備えるとともに他面に第2接合面20bを備える応力緩和部材20が介装されている。この応力緩和部材20は、第1接合面20aが金属板16の周縁16cより内側に配置されて金属板16に熱的に結合されているとともに第2接合面20bがヒートシンク13に熱的に結合されている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
セラミック基板の一面に半導体素子が熱的に結合されるとともに他面に金属層を介して放熱装置が熱的に結合された半導体装置であって、
前記放熱装置と前記金属層の間に、板状をなし一面に前記金属層より面積の小さい第1接合面を備えるとともに他面に第2接合面を備える応力緩和部材が介装され、前記第1接合面が前記金属層の周縁より内側に配置されて該金属層に熱的に結合されているとともに前記第2接合面が前記放熱装置に熱的に結合されている半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L23/36 D
, H01L23/12 C
Fターム (14件):
5F136BB04
, 5F136BB05
, 5F136BC00
, 5F136BC06
, 5F136CB06
, 5F136DA27
, 5F136EA13
, 5F136FA02
, 5F136FA03
, 5F136FA12
, 5F136FA14
, 5F136FA16
, 5F136FA18
, 5F136GA02
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
-
特開平1-059986
-
特開平1-059986
-
金属-セラミックス接合基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-101992
出願人:同和鉱業株式会社
全件表示
前のページに戻る