特許
J-GLOBAL ID：200903053141973918

層間絶縁膜の形成方法

発明者：
長谷川 利昭

長谷川 利昭 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-284781
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087342
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 比誘電率が1.5〜2.5程度の低誘電率有機膜上に、通常のCVD法によって酸化シリコン膜を形成したのでは、その酸化シリコン膜が剥がれを起こす。【解決手段】 基体10上に形成した低誘電率有機膜15上に、化学的気相成長によってシリコン系絶縁膜(酸化シリコン膜16)を形成する層間絶縁膜の形成方法であって、この化学的気相成長の雰囲気を還元性雰囲気にして、その時の成膜表面の温度を酸化シリコン膜16が成長する温度以上350°C以下に設定し、その際に化学的気相成長の雰囲気に供給される原料ガスにはシラン系ガスを用い、シラン系ガスを酸化するためのガスには一酸化二窒素を用いる。
請求項（抜粋）：
基体上に形成した低誘電率有機膜上に化学的気相成長によってシリコン系絶縁膜を成膜する層間絶縁膜の形成方法において、前記化学的気相成長の雰囲気は還元性雰囲気であることを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 M
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)

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