特許

J-GLOBAL ID：200903053161242413

低誘電率絶縁膜形成用材料及びその形成方法

発明者： 中川 秀夫 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-375435
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210110
出願日： 2004年12月27日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】 ポーラス膜よりなる低誘電率絶縁膜の機械強度を向上させる。 【解決手段】 ランダムに分布した複数の連続孔を有するポーラス構造体5を機械的に破断すると、多数の微粒子6が得られる。この微粒子6は、シリコン原子と酸素原子の結合を含み且つ空孔を有しており、低誘電率絶縁膜形成用材料となる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

シリコン原子と酸素原子の結合を含み且つ空孔を有する微粒子からなる低誘電率絶縁膜形成用材料であって、 前記微粒子は、結晶よりなる若しくはシリコンレジン同士が相互結合したポーラス構造体よりなることを特徴とする低誘電率絶縁膜形成用材料。

IPC (6件)：

H01L21/312 ,  C08K7/22 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  C09D201/00 ,  H01L21/768

FI (6件)：

H01L21/312 C ,  C08K7/22 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  C09D201/00 ,  H01L21/90 N

Fターム (34件)：

4J002CP031 ,  4J002CP032 ,  4J002DJ006 ,  4J002FA092 ,  4J002FA096 ,  4J002GJ00 ,  4J002GQ00 ,  4J038DL031 ,  4J038DL032 ,  4J038HA436 ,  4J038HA446 ,  4J038KA06 ,  4J038KA12 ,  4J038KA22 ,  4J038MA06 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033RR01 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS21 ,  5F033SS22 ,  5F033VV07 ,  5F033XX17 ,  5F033XX27 ,  5F058AA02 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 低誘電率絶縁膜形成用水性分散液、低誘電率絶縁膜および電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-112668   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 誘電体および誘電体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-324681   出願人：ソニー株式会社
• 低誘電率絶縁膜形成用材料、低誘電率絶縁膜、低誘電率絶縁膜の形成方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-137893   出願人：松下電器産業株式会社
• 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-299684   出願人：触媒化成工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 低誘電率絶縁膜形成用材料、低誘電率絶縁膜、低誘電率絶縁膜の形成方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-137893   出願人：松下電器産業株式会社
• 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-299684   出願人：触媒化成工業株式会社