特許
J-GLOBAL ID：200903015428614987

低誘電率絶縁膜形成用材料、低誘電率絶縁膜、低誘電率絶縁膜の形成方法及び半導体装置

発明者：
中川 秀夫

中川 秀夫 について

, 
笹子 勝

笹子 勝 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-137893
公開番号（公開出願番号）：特開2003-327843
出願日： 2002年05月14日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：
【要約】【課題】 ポーラス膜よりなる低誘電率絶縁膜の機械強度を向上させる。【解決手段】 低誘電率絶縁膜を形成するための溶液は、シリコンレジン2と、主としてシリコン原子及び酸素原子よりなり多数の空孔を有する微粒子3と、溶媒4とを含んでいる。
請求項（抜粋）：
主としてシリコン原子及び酸素原子よりなり多数の空孔を有する微粒子と、樹脂と、溶媒とを含む溶液からなることを特徴とする低誘電率絶縁膜形成用材料。
IPC (5件)：
C08L101/00 ,  C08K 3/36 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
C08L101/00 ,  C08K 3/36 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 K
Fターム (27件)：
4J002CP031 ,  4J002DJ006 ,  4J002DJ016 ,  4J002FA096 ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ00 ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  4J002HA05 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS21 ,  5F033WW01 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (11件)
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