特許
J-GLOBAL ID：200903053172062662

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

発明者：
森 政士

森 政士 について

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小藤 直行

小藤 直行 について

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板橋 直志

板橋 直志 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-002709
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244429
出願日： 2008年01月10日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。【解決手段】真空容器107と、この真空容器内部の処理室内に配置されその上面にエッチング対象のウェハ112が載せられる下部電極113と、下部電極113にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給するバイアス印加装置118,120と、前記処理室内に反応性ガスを導入するガス供給手段111と、前記処理室内にプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段101〜103と、前記高周波電力により前記ウェハ112に入射する前記プラズマ中のイオンのエネルギーの分布を調節する調節装置127とを備えたプラズマ処理装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
その表面にhigh-k材料上に金属材料を含む複数層の膜から構成され段差構造を有する膜構造を備えたウェハを真空容器内部の処理室内の下部電極上に載置する工程と、この処理室内にエッチングガスを導入する工程と、処理圧力を調整する工程と、前記処理室内にプラズマを生成する工程と、前記ウェハ上にバイアス電位を形成するための複数の周波数のバイアス電力を供給する工程と、前記複数の周波数のバイアス電力の出力を異ならせて前記ウェハの膜構造をプラズマ処理する工程とを有するプラズマ処理方法において、 前記プラズマの状態の時間変化を検知する工程と、 その検知結果に応じてプラズマ処理の終点を判定する工程と、 終点判定した後に前記ウェハ上に入射するイオンエネルギーとその分布を複数の周波数のバイアス出力とそれらの混合比を変化させることにより独立に制御する工程とを有する ことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L21/302 103 ,  H05H1/00 A ,  H05H1/46 A
Fターム (20件)：
5F004AA02 ,  5F004AA05 ,  5F004AA09 ,  5F004AA16 ,  5F004BA14 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004CA06 ,  5F004CB07 ,  5F004CB15 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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