特許
J-GLOBAL ID：200903092326404613

半導体製造装置および処理方法

発明者：
菅野 誠一郎

菅野 誠一郎 について

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山本 秀之

山本 秀之 について

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西尾 良司

西尾 良司 について

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手束 勉

手束 勉 について

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田中 潤一

田中 潤一 について

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金井 三郎

金井 三郎 について

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池永 和幸

池永 和幸 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-372484
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142582
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 処理中のウエハ電圧とウエハからプラズマを介したアースまでのインピーダンスを計測、または計算により求め、該インピーダンスに基づく処理を行うことができる半導体製造装置及び処理方法を提供することである。【解決手段】 ウエハ電位プローブ24と、ウエハステージに印加される電圧または電流の少なくとも一方を測定する電流・電圧プローブ17と、ウエハ電圧値,ウエハステージに印加された電圧値または電流値に基づきウエハからプラズマを介したアースまでのインピーダンスを求める算出部と、該インピーダンスに基づく処理を行う処理部とを備えることにより達成することができる。【効果】 正確にウエハ電圧とプラズマインピーダンスを求めることができ、この情報をもとにエッチングパラメータを制御することにより再現性の良いエッチングを達成し、歩留まりの低下を防止することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを処理する半導体製造装置において、 真空処理室内にプラズマを発生させるユニットと、 前記真空処理室内に導入する半導体ウエハを保持するためのウエハステージと、 前記ウエハステージに高周波電圧を印加するための高周波電源と、 前記高周波電源からウエハステージに印加される電圧と電流を測定する電流・電圧プローブと、 前記電流・電圧プローブを用いて前記半導体ウエハの電位の波形と前記ウエハステージの電流波形とを測定し位相差を求めることにより前記電流・電圧プローブの位置でのインピーダンスを求め、該求めたインピーダンスとあらかじめ用意しておいた前記電流・電圧プローブから前記ウエハステージを介したアースまでの等価回路モデルの合成インピーダンスとを演算処理して、前記半導体ウエハからプラズマを介したアースまでのインピーダンスを算出する算出部と、 該算出したインピーダンスに基づく処理を行う処理部とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L21/3065 ,  H01L21/205
FI (2件)：
H01L21/302 103 ,  H01L21/205
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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