特許
J-GLOBAL ID：200903003432321961
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 市郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-071027
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250755
出願日： 2006年03月15日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】反応室内の状態変化又は異常の発生箇所を判別し、更に状態変化又は異常の発生が予測される箇所とその種類を予測することのできるプラズマ処理技術を提供する。【解決手段】反応室と、静電吸着用電極を備えた試料台と、ガス放出板と、高周波電源と、バイアス用高周波電源と、静電吸着用電源と、を備えたプラズマ処理装置において、静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ(Ip)、プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生成側インピーダンスモニタ(Zp)、バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側インピーダンスモニタ(Zb)、のうちの何れか一つを備え、そのモニタ値より、前記インナ部品の異常放電、静電吸着用電極の絶縁被膜の絶縁劣化、前記ガス放出板の異常放電、のうちの何れか一つの発生の有無を判定する制御装置を備えた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
保護コーティングを施した内筒型のインナ部品を内壁に配置した反応室と、
該反応室内に配置され、その試料載置面に絶縁被膜により絶縁された静電吸着用電極を備えた試料台と、
前記反応室に処理ガスを分散して導入するガス放出板を備えたガス導入手段と、
前記反応室内に導入した処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成用高周波電源と、
前記試料台に高周波バイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源と、
前記静電吸着用の直流電圧を前記静電吸着用電極に印加する静電吸着用電源とを備え、
前記生成したプラズマにより試料載置台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ、
プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生成側インピーダンスモニタ、
バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側インピーダンスモニタ、および
前記モニタで計測したモニタ値に基づいて、前記インナ部品における異常放電、静電吸着用電極を絶縁する試料台の絶縁劣化、前記ガス放出板における異常放電の有無の何れかを判定する制御装置を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/306
, H01L 21/205
, C23C 16/52
, C23C 16/50
, H01L 21/304
, H05H 1/00
H01L21/302 103
, H01L21/205
, C23C16/52
, C23C16/50
, H01L21/304 645C
, H05H1/00 A
4K030GA01
, 4K030HA12
, 4K030HA17
, 5F004AA01
, 5F004AA16
, 5F004BA09
, 5F004BB18
, 5F004BB22
, 5F004BB28
, 5F004BD04
, 5F004CA06
, 5F004CB07
, 5F045BB03
, 5F045BB08
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045GB08
, 5F045GB12
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (2件)
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プラズマ処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-236532
出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
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プラズマ処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-136344
出願人：株式会社日立製作所
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