特許
J-GLOBAL ID：200903053203209861

固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
宮田 幸児

宮田 幸児 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-067861
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273342
出願日： 2002年03月13日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 2次元配列された光電変換手段の上層多層信号線による入射光の乱反射を抑え、撮像領域の周辺部近傍における受光感度の改善を図る。【解決手段】 フォトダイオードPDやMOSゲート等を設けたシリコン基板40の上部に、絶縁層41を介して3層の信号線42、43、44が配置され、その上部にカラーフィルタ46、オンチップレンズ47が設けられている。そして、撮像領域の中心部近傍の画素では、フォトダイオードPDの上方を避けるように信号線42、43、44を配置する。また、撮像領域の周辺部に近づくにつれて、画素の信号線42、43、44を中心部近傍の画素に比べて光が入射してくる方向に配置し、画素への斜め入射光をできる限り多くフォトダイオードPDに到達させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に光電変換素子とゲート素子を含む複数の単位画素を2次元アレイ状に配列した撮像領域を設けるとともに、前記半導体基板上に各単位画素の受光用開口部を避ける状態で単位画素の行方向、または列方向、または格子状に複数層の信号線を配置した固体撮像素子において、前記撮像領域の中心部から周辺部に行くに従って前記各単位画素に対する前記信号線の相対位置が撮像領域の中心に近づく方向にずれている、ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A
Fターム (20件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA09 ,  4M118CA12 ,  4M118FA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX01 ,  5C024CX41 ,  5C024EX43 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31
引用特許：
審査官引用 (8件)
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