特許
J-GLOBAL ID：200903025416748835

III族窒化物半導体結晶の製造方法、III族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス

発明者：
藤戸 健史

藤戸 健史 について

, 
清見 和正

清見 和正 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-129077
公開番号（公開出願番号）：特開2008-308401
出願日： 2008年05月16日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】高品位で大面積の非極性面を有するIII-V族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体結晶200の製造方法は非極性面であるM面を有する種結晶Sを準備し、非極性面であるM面からIII族窒化物半導体200を気相中で成長させる成長工程を具備し、成長工程は、種結晶Sの+C軸方向(<0001>方向)に伸びるようにIII族窒化物半導体200を成長させることを含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体結晶の製造方法であって、 非極性面を有する種結晶を準備し、前記非極性面からIII族窒化物半導体を気相中で成長させる成長工程を具備し、 前記成長工程は、前記種結晶の+C軸方向(<0001>方向)に伸びるようにIII族窒化物半導体を成長させることを含む、 ことを特徴とするIII族窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (59件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077AB09 ,  4G077AB10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077GA02 ,  4G077GA06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC03 ,  4G077TC08 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF02 ,  5F045EK06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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