液晶表示装置及びその製造方法とプロジェクタ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-036179
公開番号（公開出願番号）：特開2003-241210
出願日： 2002年02月14日
公開日（公表日）： 2003年08月27日
要約：

【要約】【課題】コンタクト部の電気接続の信頼性を損なうことなく、透明画素電極の薄膜化を実現して、液晶パネルの透過率の改善を図る。【解決手段】液晶表示装置は、互いに対向して配置された2枚の基板と、両基板の間隙に保持された液晶と、一方の基板に設けられかつ配向膜で覆われた共通電極と、他方の基板にマトリックス状に配置されかつ配向膜で覆われた透明導電膜4aからなる複数の画素電極4と、各画素電極4にコンタクト部CONを介してそれぞれ接続されたスイッチング素子とを有する。透明導電膜4aを含むコンタクト部CONの層厚dcが、透明導電膜4bからなる画素電極4の開口部Wの層厚dwよりも大きい。

請求項（抜粋）：

互いに対向して配置された2枚の基板と、両基板の間隙に保持された液晶と、一方の基板に設けられかつ配向膜で覆われた共通電極と、他方の基板にマトリクス状に配置されかつ配向膜で覆われた透明導電膜からなる複数の画素電極と、各画素電極にコンタクト部を介してそれぞれ接続されたスイッチング素子と、前記他方の基板に各画素電極の開口部を避けてマトリクス状に配置された走査線および信号線とを有し、各画素電極が対応する走査線および信号線に該スイッチング素子を介してそれぞれ接続されてなる液晶表示装置において、該透明導電膜を含むコンタクト部の層厚が、該透明導電膜からなる画素電極の開口部の層厚よりも大きい事を特徴とする液晶表示装置。

IPC (7件)：

G02F 1/1343 , G02F 1/13 505 , G02F 1/13357 , G02F 1/1368 , G03B 21/00 , G03B 21/14 , G09F 9/00 342

FI (7件)：

G02F 1/1343 , G02F 1/13 505 , G02F 1/13357 , G02F 1/1368 , G03B 21/00 E , G03B 21/14 Z , G09F 9/00 342 Z

Fターム (52件)：

2H088EA13 , 2H088EA15 , 2H088FA19 , 2H088GA02 , 2H088HA02 , 2H088JA05 , 2H088KA01 , 2H088KA02 , 2H088KA07 , 2H088KA30 , 2H088MA06 , 2H088MA20 , 2H091FA01Z , 2H091FA02Y , 2H091FA08X , 2H091FA08Z , 2H091FA14Z , 2H091FA26X , 2H091FA26Z , 2H091FA41Z , 2H091HA07 , 2H091LA16 , 2H091MA07 , 2H092GA16 , 2H092GA17 , 2H092GA25 , 2H092GA29 , 2H092HA04 , 2H092HA06 , 2H092JA24 , 2H092JB58 , 2H092KB04 , 2H092KB22 , 2H092LA05 , 2H092MA18 , 2H092NA03 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092QA07 , 2H092RA05 , 2K103AA05 , 2K103AA16 , 2K103AB01 , 2K103BB02 , 5G435AA02 , 5G435AA14 , 5G435BB12 , 5G435BB15 , 5G435FF13 , 5G435HH02 , 5G435KK05 , 5G435LL15

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-211528
特開平4-264527
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-018050 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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