半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-218653
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063685
出願日： 2002年07月26日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】パーティクル抑制と、基板中の酸素析出核生成・成長とを両立することができ、歩留を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】相補型金属酸化膜半導体素子を含む半導体プロセスの製造工程において、受け入れ後のウェーハを洗浄する工程と、その後、半導体製造工程の最初の熱処理工程において、急速昇温で1100°C以上1300°C以下の温度に該当ウェーハを加熱し、前記範囲の温度で1〜100秒間保持した後、500°C以下まで急速降温する急速熱処理工程を含み、その後2回目以降の熱処理工程は前述のごとき急速熱処理工程以外の熱処理工程においては、ウェーハを熱処理容器に投入およびもしくは取り出しする温度が150°Cから750°Cの範囲であって、その温度がウェーハを処理する温度を超えないようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

相補型金属酸化膜半導体素子を含む半導体装置の製造方法において、受け入れ後のウェーハを洗浄する工程と、その後、半導体製造工程の最初の熱処理工程において、室温から急速昇温して1100°C以上1300°C以下の温度に該当ウェーハを加熱し、前記範囲の温度で1〜100秒間保持した後、500°C以下まで急速降温する急速熱処理工程を含み、その後、2回目以降の熱処理工程は前記急速熱処理工程以外の熱処理工程においては、ウェーハを熱処理容器に投入およびもしくは取り出しする温度が150°C以上750°C以下の範囲であって、その温度がウェーハを処理する温度を超えないことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/8238 , H01L27/092

FI (3件)：

H01L21/322 Y , H01L21/324 S , H01L27/08 321Z

Fターム (4件)：

5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048DA00

引用特許：

審査官引用 (10件)

シリコンウェーハの製造方法及びその方法により製造されたシリコンウェーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-198189 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
特開昭60-247935
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-262529 出願人：株式会社日立国際電気

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