回路基板

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-138929
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335514
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】セラミック絶縁基板にサーマルビアを形成した構造において、放熱性の高い構造を提供する。【解決手段】セラミック絶縁基板1の表面に金属導体層3を介してICなどの電子部品2を搭載し、裏面に放熱体4を設け、金属導体層3と放熱体4とを熱的に接続するための3個以上の伝熱用ビアホール導体5とを具備し、伝熱用ビアホール導体5を最大径d0.1〜0.4mmの円柱体から構成し、各ビアホール導体を1.5d〜4.0dの間隔をもって、隣接する各ビアホール導体の中心を結ぶ線分が正三角形をなすように配列する。

請求項（抜粋）：

第1の表面と、第2の表面を具備するセラミック絶縁基板と、前記第1の表面に金属導体層を介して搭載された電子部品と、前記第2の表面に一体的に形成された放熱体と、前記金属導体層と前記放熱体とを熱的に接続するための3個以上の伝熱用ビアホール導体とを具備する回路基板であって、前記伝熱用ビアホール導体は、最大径dが0.1〜0.4mmの円柱体から構成されるとともに、各ビアホール導体間が1.5d〜4.0dの間隔をもって、隣接する各ビアホール導体の中心を結ぶ線分が正三角形をなすように配列したことを特徴とする回路基板。

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭50-155973
半導体装置用パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-355032 出願人：新光電気工業株式会社
半導体パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-324406 出願人：株式会社日立製作所

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