特許

J-GLOBAL ID：200903053351004004

高誘電率のゲート絶縁膜を有する半導体装置及びそれの製造方法

発明者： 李 鍾鎬 ,  李 化成 ,  崔 在光 ,  丁 炯碩
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-139162
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024894
出願日： 2005年05月11日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：

【課題】 本発明はゲート構造物として高誘電率を有する物質として、高誘電率を有する物質からなるゲート絶縁膜を含む半導体装置及びその製造方法に関する。【解決手段】 半導体装置及びその製造方法において、基板上に形成され、ハフニウムシリコン酸化物含有固体物質を含むゲート絶縁膜パターンと前記ゲート絶縁膜パターン上に形成される第1ゲート導電膜パターンを含むゲート構造物及び前記ゲート構造物と隣接する基板の表面部位に配置されており、n型不純物がドーピングされたソース/ドレイン領域を含むことを特徴とする。【選択図】 図16

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、ハフニウムシリコン酸化物含有固体物質を含むゲート絶縁膜パターンと前記ゲート絶縁膜パターン上に形成される第1ゲート導電膜パターンを含むゲート構造物と、 前記ゲート構造物と隣接する基板の表面部位に配置されており、n型不純物がドーピングされたソース/ドレイン領域と、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (12件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/283 C ,  H01L21/316 P ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/58 G

Fターム (123件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD45 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F058BA01 ,  5F058BA05 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF64 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA12 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF10 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BC05 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF10 ,  5F140BF14 ,  5F140BF21 ,  5F140BF24 ,  5F140BF25 ,  5F140BF27 ,  5F140BF30 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF07

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 米国特許第6,528,858号明細書
  
• 米国特許第6,617,210号明細書
  
• 米国特許出願公報第2002-0190302号明細書
  
• 米国特許第6,545,324号明細書
  
• 米国特許第6,444,512号明細書
  
• 韓国特許出願公報第2003-000572号明細書
  
• 米国特許第6,518,106号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 半導体素子の金属ゲート形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-393197   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-246882   出願人：株式会社東芝
• 原子層吸着堆積法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-191265   出願人：株式会社高純度化学研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Improved Current Performance of CMOSFETs with Nitrogen Incorporated HfO2-Al2O3 Laminate Gate Dielect