特許
J-GLOBAL ID：200903053353578644

半導体基板の反射率測定方法及び半導体基板の温度測定方法並びに半導体基板の加熱温度制御方法とその装置。

発明者：
獅子口 清一

獅子口 清一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232686
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060560
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 基板面内の複数の測定位置の温度を正確に測定し、基板の面内を均一に加熱することを可能とする。【解決手段】 反射率測定用光供給ライン2を通してシリコンウェーは1の裏面の複数の測定位置にそれぞれ互いに異なる周波数で変調された光が供給され、各ラインから出光した光は、光導入ガイドを通して基板の裏面の各測定位置に照射し、各測定位置からの反射光を受光し、光導入用ファイバー4を通して温度測定装置5に入力する。温度測定装置5では、入力された各測定位置からの反射光毎に光強度を測定し、各測定位置の光強度から基板温度を演算してその結果をランプパワー制御装置6に出力する。ランプパワー制御装置6は、温度測定装置5に得られたウェーハの温度と所望の温度との差から加熱ランプを制御してウェーハの温度を調節する。
請求項（抜粋）：
光照射処理と、受光処理とを有する半導体基板の反射率測定方法であって、光照射処理は、基板の裏面の中心から動径方向に互いに異なる複数の測定位置に、互いに異なる周波数で変調された光を照射する処理であり、受光処理は、各測定位置からの反射光の干渉による反射率測定誤差を防止して各測定位置の光強度を測定する処理であることを特徴とする半導体基板の反射率測定方法。
IPC (2件)：
H01L 21/26 ,  H01L 21/66
FI (2件)：
H01L 21/26 T ,  H01L 21/66 T
Fターム (8件)：
4M106AA01 ,  4M106CA70 ,  4M106DH02 ,  4M106DH12 ,  4M106DH14 ,  4M106DH31 ,  4M106DH37 ,  4M106DH44
引用特許：
審査官引用 (4件)
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