特許
J-GLOBAL ID：200903053394440843
半導体エッチングモニタおよびそれを用いた半導体力学量センサの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-109968
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298012
出願日： 2000年04月11日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体センサ製造工程において、犠牲層エッチング時の問題である、エッチング不足、もしくは過剰エッチングを防止すること、並びに複雑なプロセスを必要とせず、低コストで半導体構造を用いたセンサを製造すること。【解決手段】 犠牲層エッチングの進行状況をインラインで確認することができる半導体エッチングモニタをセンサ部分と同一のウエハ上に形成することによりエッチング不足、もしくは過剰エッチングを防止する。
請求項（抜粋）：
第1層の半導体基板上に、第2層の絶縁体層および第3層の半導体層が構成された3層構造のウエハからなり、第3層の半導体層をエッチングすることにより形成される貫通溝と1つの貫通穴を有する構造体であって、貫通溝と貫通穴の距離が同一であり、該構造体は、ウエットエッチングによって、第2層の絶縁体層が除去されて可動部となる部分と、固定部とからなり、該可動部となる部分は、少なくとも1つ以上の梁によって、該固定部と接続されていることを特徴とする半導体エッチングモニタ用構造体。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/84 Z
, H01L 21/306 U
, H01L 21/306 B
4M112AA02
, 4M112CA24
, 4M112CA26
, 4M112DA04
, 4M112EA02
, 4M112EA06
, 5F043AA31
, 5F043BB22
, 5F043FF02
, 5F043GG10
