特許
J-GLOBAL ID：200903066573442284

加速度センサならびに角加速度センサおよびそれらの製造方法

発明者：
上▲柳▼ 勝道

上▲柳▼ 勝道 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 谷 義一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-107537
公開番号（公開出願番号）：特開平10-300773
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 大口径ウエハを使用して、製造歩留まりが高く、検出感度および信頼性に優れた加速度センサを実現する。【解決手段】 支持枠部と、変位可能な少なくとも1個の重り部および該重り部を前記支持枠部と連結する梁部からなるセンサ構造体が基板シリコン上に絶縁層を介して形成されている薄膜シリコンに形成されている加速度センサである。センサ構造体と基板シリコンの間の絶縁層は除去されており、梁部は互いに平行な2本の梁からなり、重り部は平行な2本の梁によって支持枠部に連結され、平行な2本の梁のそれぞれの表面に少なくとも2個の半導体ストレインゲージが形成されている。
請求項（抜粋）：
支持枠部と、変位可能な少なくとも1個の重り部および該重り部を前記支持枠部と連結する梁部からなるセンサ構造体とが基板シリコン上に絶縁層を介して形成された薄膜シリコンに形成されている加速度センサにおいて、前記センサ構造体と前記基板シリコンの間の前記絶縁層は除去されており、前記梁部は互いに平行な複数組の梁からなり、前記重り部は該平行な複数組の梁によって前記支持枠部に連結され、前記平行な複数組の梁のうちの少なくとも1組の梁の表面に少なくとも2個の半導体ストレインゲージが形成されていることを特徴とする加速度センサ。
IPC (2件)：
G01P 15/12 ,  H01L 29/84
FI (2件)：
G01P 15/12 ,  H01L 29/84 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (9件)
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