特許
J-GLOBAL ID：200903053488821026

容量素子の製造方法および容量素子の製造装置

発明者：
山本 一郎

山本 一郎 について

, 
飯塚 敏洋

飯塚 敏洋 について

, 
加藤 芳健

加藤 芳健 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356894
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177075
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 不純物の離脱に対応した低温による熱処理を行って、リーク特性及び誘電率の劣化を防ぐことができる容量素子の製造方法および容量素子の製造装置を提供する。【解決手段】 誘電体膜を上部電極及び下部電極で挟み込んだ容量素子の製造方法において、ABO3 複合酸化物からなる高誘電体膜の成膜後、高誘電体膜を高温熱処理する高温熱処理工程と、高温熱処理の処理温度より低い温度で低温熱処理する低温熱処理工程とを有する。
請求項（抜粋）：
誘電体膜を上部電極及び下部電極で挟み込んだ容量素子の製造方法において、ABO3 複合酸化物からなる高誘電体膜の成膜後、前記高誘電体膜を高温熱処理する高温熱処理工程と、前記高温熱処理の処理温度より低い温度で低温熱処理する低温熱処理工程とを有することを特徴とする容量素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (2件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 B
Fターム (16件)：
5F083AD21 ,  5F083AD42 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA30 ,  5F083JA14 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR15 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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