特許
J-GLOBAL ID：200903053506966126

多層レジストプロセス用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法

発明者：
中村 悦子

中村 悦子 について

, 
脇屋 和正

脇屋 和正 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343870
公開番号（公開出願番号）：特開2004-177668
出願日： 2002年11月27日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】ホトレジスト現像液に対する耐性に優れ、使用後の除去をホトレジスト剥離液にて行うことができ、基板のリワーク処理も容易とする多層レジストプロセス用下層膜材料と、この下層膜材料を用いた配線形成方法を提供する。【解決手段】所定のエネルギーが印加されることにより末端基が脱離してスルホン酸残基を生じる置換基を少なくとも有する樹脂を樹脂成分として含有させて多層レジストプロセス用下層膜材料を構成する。前記樹脂成分は、少なくとも下記一般式(1)【化1】(式中、nは1以上の整数を表し、Xは炭素原子数1〜10の直鎖もしくは分岐状のアルキル鎖、芳香性もしくは脂環性の環状アルキル鎖、アルキルエステル鎖であり、Yは所定のエネルギーの印加を受けてスルホン酸残基を生じる置換基である。)で表される繰り返し単位を有するものが好ましい。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に配線層を高い精度で形成するための最終レジストパターンとなる下層膜と中間層膜とホトレジスト上層膜とを少なくとも有してなる多層レジストプロセスを構成する前記下層膜の形成材料であって、 所定のエネルギーが印加されることにより末端基が脱離してスルホン酸残基を生じる置換基を少なくとも有する樹脂成分と溶媒とを含有していることを特徴とする多層レジストプロセス用下層膜形成材料。
IPC (4件)：
G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213
FI (4件)：
G03F7/11 502 ,  G03F7/26 511 ,  H01L21/88 C ,  H01L21/30 573
Fターム (25件)：
2H025AB16 ,  2H025DA23 ,  2H025DA40 ,  2H025FA41 ,  2H025FA48 ,  2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096KA08 ,  2H096LA12 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ29 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR25 ,  5F033TT01 ,  5F046NA06 ,  5F046NA11 ,  5F046NA18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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