特許
J-GLOBAL ID：200903018702531235

デュアルダマシン構造形成用埋め込み材料およびこれを用いたデュアルダマシン構造形成方法

発明者：
中村 悦子

中村 悦子 について

, 
脇屋 和正

脇屋 和正 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343868
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179393
出願日： 2002年11月27日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】エッチング空間への入り込み特性や、使用後の除去容易性を維持しつつ、ポイゾニング現象を抑止することのできるデュアルダマシン構造形成用埋め込み材料、および該埋め込み材料を用いたデュアルダマシン構造形成方法を提供する。【解決手段】所定のエネルギーが印加されることにより末端基が脱離してスルホン酸残基を生じる置換基を少なくとも有する樹脂を樹脂成分として含有させて埋め込み材料を構成する。前記樹脂成分は、少なくとも一般式(1)(式中、nは1以上の整数を表し、Xは炭素原子数1〜10の直鎖もしくは分岐状のアルキル鎖、芳香性もしくは脂環性の環状アルキル鎖、アルキルエステル鎖であり、Yは所定のエネルギーの印加を受けてスルホン酸残基を生じる置換基である。)で表される繰り返し単位を有するものが好ましい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基板上の低誘電体層に形成された第1のエッチング空間と該第1のエッチング空間に連通するとともに該第1のエッチング空間と形状および寸法の異なる第2のエッチング空間とから少なくとも構成されるデュアルダマシン構造を形成するためのエッチング空間埋め込み材料であって、 所定のエネルギーが印加されることにより末端基が脱離してスルホン酸残基を生じる置換基を少なくとも有する樹脂成分と溶媒とを含有していることを特徴とするデュアルダマシン構造形成用埋め込み材料。
IPC (2件)：
H01L21/768 ,  H01L21/312
FI (2件)：
H01L21/90 A ,  H01L21/312 A
Fターム (44件)：
5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR01 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX09 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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