特許
J-GLOBAL ID：200903053592256080
電圧駆動型半導体素子の異常検出方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山口 巖
, 駒田 喜英
, 松崎 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-000416
公開番号（公開出願番号）：特開2004-215416
出願日： 2003年01月06日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】ゲートタイミングをバランスさせるためゲート線を互いに磁気結合して直列または並列に複数個接続された電圧駆動型半導体素子の異常を、その動作モードに関係無く素子異常が発生した直後に迅速に検出可能とする。【解決手段】例えば2つ直列に接続された素子Q1,Q2のゲート線を、磁気結合回路Tgにより磁気結合した部分の電圧V(Tg1),V(Tg2)をE/O回路を介して制御回路CTに取り込み、この電圧とそのときゲート駆動回路GDU1,2に与えたゲート信号との関係から、素子異常が発生した時点で直ちにその素子を特定して検出できるようにする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
スイッチングタイミングをバランスさせるために各ゲート線が互いに磁気結合されて直列または並列に接続された複数個の電圧駆動型半導体素子と、これらの電圧駆動型半導体素子をオン,オフさせるゲート駆動回路と、このゲート駆動回路にゲート信号を与える制御回路とを備え、
前記磁気結合された部分の電圧を一括して検出して前記制御回路に入力し、この制御回路に入力された信号とゲート信号との関係から異常動作の素子を瞬時に特定可能にしたことを特徴とする直並列接続された電圧駆動型半導体素子の異常検出方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H02M1/00 C
, H02M1/00 J
, H02M1/00 L
, H02M1/08 A
5H740AA10
, 5H740BA11
, 5H740BB01
, 5H740BB02
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740KK01
, 5H740KK03
, 5H740MM01
