特許
J-GLOBAL ID:200903053625315389

基板の洗浄方法、洗浄薬液、洗浄装置及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 加藤 朝道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-029348
公開番号(公開出願番号):特開2003-234320
出願日: 2002年02月06日
公開日(公表日): 2003年08月22日
要約:
【要約】【課題】基板上のパーティクルの除去性能が高い基板の洗浄方法、洗浄薬液、洗浄装置及び半導体装置を提供すること。【解決手段】基板の洗浄方法において、純水を供給する純水供給ライン上で純水中の溶存窒素濃度を大気との平衡溶存窒素濃度(約16ppm)以下に調整(脱気)する第1の工程と、前記第1の工程で調整された純水と少なくとも過酸化水素水とを混合し作製された洗浄薬液を洗浄槽に供給し、基板が浸漬されている前記洗浄薬液に超音波を印加して洗浄を行なう第2の工程と、を含むことを特徴とする。
請求項(抜粋):
純水を供給する純水供給ライン上で純水中の溶存窒素濃度を大気との平衡溶存窒素濃度以下に調整する第1の工程と、前記第1の工程で調整された純水と少なくとも過酸化水素とを混合し作製された洗浄薬液を洗浄槽に供給し、基板が浸漬されている前記洗浄薬液に超音波を印加して洗浄を行なう第2の工程と、を含むことを特徴とする基板の洗浄方法。
IPC (8件):
H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 648 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/12 ,  C11D 7/06 ,  C11D 7/18 ,  C11D 17/00 ,  C03C 23/00
FI (8件):
H01L 21/304 642 E ,  H01L 21/304 648 G ,  B08B 3/08 A ,  B08B 3/12 A ,  C11D 7/06 ,  C11D 7/18 ,  C11D 17/00 ,  C03C 23/00 A
Fターム (19件):
3B201AA01 ,  3B201BB02 ,  3B201BB83 ,  3B201BB95 ,  3B201CC01 ,  3B201CC21 ,  4G059AA08 ,  4G059AB01 ,  4G059AB09 ,  4G059AB11 ,  4G059AC24 ,  4G059AC30 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DC04 ,  4H003EA23 ,  4H003ED02 ,  4H003EE04 ,  4H003FA21
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 基板洗浄装置および基板洗浄方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-089769   出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
  • 洗浄システム,洗浄装置及び洗浄方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-207065   出願人:東京エレクトロン株式会社
  • 高周波洗浄装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-264175   出願人:株式会社プレテック, 大日本スクリーン製造株式会社
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